Fabrikant Productnummer:
IPD10N03LA G
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPD10N03LA G-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Voorraad:
12801105
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPD10N03LA G Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
25 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
10.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1358 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
52W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO252-3-11
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
IPD10N
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
SP000017602
IPD10N03LAGXT
IPD10N03LA G-DG
IPD10N03LAG
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
FDD8880
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
13967
DEELNUMMER
FDD8880-DG
EENHEIDSPRIJS
0.27
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPB016N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IRFR3103TRR
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
IPB90N06S404ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3